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半导体晶圆划片废水处理案例|半导体晶圆划片废水处理方法

新项目原型 该类目属于长三边形沿海地区某省市级半导体材料加工业本园,企业的主要的工作8寸大和12寸大晶圆,每日量高于2万片。时间推移产能分析提高了,原始的废水进行加工进行加工系統已无非无法优质规定要求,急用更新升级改造。新项目总交易约1200万元,方案进行加工水平为300吨/日,于202一年成立 投用。 工业废水因素及由来 该企业的晶圆划区工艺程序所产生的废渣首要含盖接下来组成成分: 切过程中 中安全使用的精磨液残渣物,首要物质为二防氧化硅颗粒状、表面上灵润湿剂和设计增多剂 晶圆外面刷洗诞生的含氟化工废水,氟铝离子浓硫酸浓度在80-120mg/L 一些巨资属铝离子如铜、镍等,由来于锯开用具轮胎磨损 有机的溶液存留,具有异丙醇、异丙醇等 pH值动荡过大,基本在4-10区间内 外理的工艺步骤流程 针对于电镀废水因素,的设计进行"化学预补救+血生化补救+高度补救"的搭配组合加工: 调接池 :匀衡水源出水量,如何设置pH一直在线监控体系和电脑自动加量体系 混泥土沉淀自己 :污泥脱水PAC和PAM,洗去浮窗物和氢氧化铁元素 气浮单园 :采取溶气气浮生产技术进步出掉狗狗细小病毒颗粒状和地方有机肥料物 生物化处置 :利用MBR膜海洋生物反映器,废水溶度长期保持在8000-10000mg/L 宽度办理 :活性酶炭活性炭吸附+反渗透设备到生产工艺,确定喷水考核标准 污泥治理 治理 :板框压泥机脱干,淤泥含水量率降为60%左右 净化处理实际效果 系统的相对稳定操作后,满水后地表水全满足《电子元器件工业品水造成的废水产生量规则》(GB39731-2020)特点产生量最大限度请求: COD<30mg/L 氟铝离子<5mg/L 悬屏物<10mg/L 天价属每项完成指标均不低于卫生防护距离 活动每一年的可才能减少被污染的物排卸量约COD 32吨、氟化物8.5吨,回收利用水率达成75%往上,为商家节省了煤气费花费约1二十万元/年。

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